Адаптер за зареждане на бустери Mi 65W с GaN технология

GaN (галиев нитрид)Нова технология с трето поколение полупроводников материал GaN, който е иновативен полупроводников материал, използван обикновено в аерокосмическия и военния сектор. Предлага отлична проводимост и устойчивост на високи температури, киселини и основи. Зарядното устройство е компактно има и други предимства по отношение на преобразуването на мощността в сравнение със зарядните устройства без GaN със същата мощност.

Спецификации на продукта:

Тип порт: Тип – C

Входни параметри: 100-240 V 50/60 Hz 1,7 A

Изходни параметри: 5 V = 3A 9 V = 3 A 10 V = 5A 12 V = 3A 15 V = 3A 20 V = 3,25A 65W МАКС”

Размери на продукта: 30,8 x 30,8 x 56,3 мм

Работна температура: от 0°C до 40°C